MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 56 mΩ Miglioramento, 60 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
202-5730
Codice costruttore:
NVBG040N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NVB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

56mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

178W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

4.7 mm

Altezza

15.7mm

Lunghezza

10.2mm

Standard automobilistico

No

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio D2PAK−7L, N?Canale, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 60 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.

Certificazione AEC Q101

Possibilità di processo di approvazione delle parti di produzione

Testato con effetto valanga al 100%

Capacità di uscita effettiva bassa

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