MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.192 Ω Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2308BDS-T1-E3

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Codice RS:
180-7752
Codice costruttore:
SI2308BDS-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.192Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.66W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Larghezza

2.64 mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 156mohm a una tensione gate-source di 10V. È dotato di una potenza nominale massima di 1,66 W e corrente di drain continua di 2,3 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttore batteria

• convertitore CC/CC

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato

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