MOSFET Vishay, canale N, 156 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-3257
Codice costruttore:: SI2308BDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 156 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 710-3257
Codice costruttore:: SI2308BDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,9 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	156 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,09 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Vishay, canale N, 156 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

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