MOSFET di potenza Vishay, canale N 60 V, 0.192 Ω Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2308BDS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3257
Codice costruttore:
SI2308BDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

Si2308BDS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.192Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.66W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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