MOSFET Vishay, canale N, 156 mΩ, 2,3 A, TO-236, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-0266
Codice costruttore:: SI2308BDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 156 mΩ, 2,3 A, TO-236, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,167 €

(IVA esclusa)

0,204 €

(IVA inclusa)

999999999 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,167 €	501,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 919-0266
Codice costruttore:: SI2308BDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-236
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	156 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,66 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,5 nC a 10 V
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C