MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-4437
Codice costruttore:: SI2302DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,084 €

(IVA esclusa)

0,102 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,084 €	252,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-4437
Codice costruttore:: SI2302DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	75 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.85V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	0,71 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±8 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,5 nC a 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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