MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 152-6358
Codice costruttore:: SI2302DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 152-6358
Codice costruttore:: SI2302DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	75 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.85V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	0,71 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±8 V
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	3,5 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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