MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 152-6358
Codice costruttore:: SI2302DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

25 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

175 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 25

0,386 €

(IVA esclusa)

0,471 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
25 - 225	0,386 €	9,65 €
250 - 600	0,363 €	9,075 €
625 - 1225	0,328 €	8,20 €
1250 - 2475	0,309 €	7,725 €
2500 +	0,29 €	7,25 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 152-6358
Codice costruttore:: SI2302DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Senza alogeni
MOSFET di potenza TrenchFET®
Test Rg al 100%
APPLICAZIONI
Commutazione carico per dispositivi portatili
Convertitore c.c.-c.c.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	75 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.85V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	0,71 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±8 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,5 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

Codice RS:: 152-6358
Codice costruttore:: SI2302DDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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