MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.075 Ω Miglioramento, 2.9 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2302DDS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
152-6358
Codice costruttore:
SI2302DDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.075Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.86W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

Senza alogeni

MOSFET di potenza TrenchFET®

Test Rg al 100%

APPLICAZIONI

Commutazione carico per dispositivi portatili

Convertitore c.c.-c.c.

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