MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 24 mΩ Miglioramento, 8.1 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

565,00 €

(IVA esclusa)

690,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 19 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,226 €565,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
919-0288
Codice costruttore:
SI4435DDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

8.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4435DDY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati