MOSFET Vishay, canale Tipo P -30 V, 0.03 mΩ Miglioramento, 13.6 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
252-0245
Codice costruttore:
SI4155DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

13.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Dissipazione di potenza massima Pd

5.6W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. Il substrato dei MOSFET a canale P contiene elettroni e lacune di elettroni. I MOSFET a canale P sono collegati a una tensione positiva. Questi MOSFET si accendono quando la tensione fornita al terminale Gate è inferiore alla tensione Source.

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