2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale N, 19.5 mΩ, 7.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

827,50 €

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Codice RS:
919-0281
Codice costruttore:
SI4214DDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

7.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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