2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, 19.5 mΩ, 7.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
919-0281
Codice costruttore:
SI4214DDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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