MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.009 Ω Miglioramento, 20.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4124DY-T1-GE3

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Codice RS:
812-3195
Codice costruttore:
SI4124DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.009Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

5.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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