MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.009 Ω Miglioramento, 20.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4124DY-T1-GE3

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Codice RS:
812-3195
Codice costruttore:
SI4124DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.009Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

5.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Altezza

1.55mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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