MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.009 Ω Miglioramento, 20.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4124DY-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

13,72 €

(IVA esclusa)

16,74 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
Ultimi pezzi su RS
  • 2200 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 401,372 €13,72 €
50 - 901,289 €12,89 €
100 - 2401,166 €11,66 €
250 - 4901,098 €10,98 €
500 +1,03 €10,30 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3195
Codice costruttore:
SI4124DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.009Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Dissipazione di potenza massima Pd

5.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati