MOSFET di potenza Vishay, canale N 40 V, 0.009 Ω Miglioramento, 20.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4124DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3195
Codice costruttore:
SI4124DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.009Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

5.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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