MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7274
Codice costruttore:: SI4124DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,834 €

(IVA esclusa)

1,017 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,834 €	2.085,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-7274
Codice costruttore:: SI4124DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si4124DY, N-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	5,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	51 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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