MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.009 Ω Miglioramento, 20.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie
- Codice RS:
- 165-7274
- Codice costruttore:
- SI4124DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 165-7274
- Codice costruttore:
- SI4124DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.009Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5.7W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Altezza | 1.55mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.009Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5.7W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4 mm | ||
Altezza 1.55mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
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