MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.014 Ω Miglioramento, 14 A, 8 Pin, SOIC, Superficie Si4134DY-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

7,29 €

(IVA esclusa)

8,89 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3510 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,729 €7,29 €
100 - 2400,686 €6,86 €
250 - 4900,62 €6,20 €
500 - 9900,585 €5,85 €
1000 +0,547 €5,47 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3320
Codice costruttore:
Si4134DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si4134DY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.014Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.