MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.014 Ω Miglioramento, 14 A, 8 Pin, SOIC, Superficie Si4134DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3320
Codice costruttore:
Si4134DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4134DY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.014Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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