2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, 72 mΩ, 5.3 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI9945BDY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-8995
Codice Distrelec:
304-02-278
Codice costruttore:
SI9945BDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

72mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Distrelec Product Id

30402278

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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