MOSFET Vishay, canale N, 72 mΩ, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4189
Codice costruttore:: SI9945BDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 72 mΩ, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,34 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,34 €	850,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4189
Codice costruttore:: SI9945BDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	72 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	5mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 72 mΩ, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor

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