MOSFET Vishay, canale N, 72 mΩ, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5,3 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

72 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

3,1 W

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Carica gate tipica @ Vgs

13 nC a 10 V

Lunghezza

5mm

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4mm

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C