MOSFET Infineon, canale N, P, 46 mΩ, 98 mΩ, 5,3 A, 6,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:
168-7930
Codice costruttore:
IRF7317TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

5,3 A, 6,6 A

Tensione massima drain source

20 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

46 mΩ, 98 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

0.7V

Tensione di soglia gate minima

0.7V

Dissipazione di potenza massima

2 W

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Numero di elementi per chip

2

Carica gate tipica @ Vgs

18 nC a 4,5 V, 19 nC a 4,5 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

5mm

Larghezza

4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.5mm

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