2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, 98 mΩ, 4.9 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7316TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-8872
Codice costruttore:
IRF7316TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

98mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-0.78V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Distrelec Product Id

304-44-452

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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