MOSFET Infineon, canale N, P, 150 mΩ, 400 mΩ, 2,3 A, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-3934
Codice costruttore:: IRF9952TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 150 mΩ, 400 mΩ, 2,3 A, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 827-3934
Codice costruttore:: IRF9952TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, 2,3A/3,5A di corrente di scarico continua massima, 2W di dissipazione di potenza massima - IRF9952TRPBF

Questo versatile MOSFET offre prestazioni elevate in un pacchetto compatto, integrando configurazioni sia a canale N che a canale P. È progettato per un funzionamento efficace in varie applicazioni elettroniche, garantendo efficienza e affidabilità. Con una corrente di drain massima di 3,5A e una tensione massima drain-source di 30V, è adatto per applicazioni che richiedono robuste capacità di commutazione.

Caratteristiche e vantaggi

• La configurazione a doppio canale aumenta la flessibilità del progetto
• Il design a montaggio superficiale semplifica l'assemblaggio dei PCB
• La bassa resistenza (150mΩ e 400mΩ) riduce la perdita di potenza
• Il funzionamento ad alta temperatura (+150°C) garantisce l'affidabilità in condizioni estreme
• Le caratteristiche migliorate della carica di gate aumentano l'efficienza di commutazione
• La configurazione a transistor isolati riduce al minimo il cross-talk per ottenere segnali più puliti

Applicazioni

• Soluzioni per la gestione dell'alimentazione
• Sistemi per veicoli elettrici per una maggiore efficienza
• Automazione e controllo industriale
• Sistemi di energia rinnovabile per prestazioni ottimali
• Elettronica di consumo per migliorare le prestazioni dei dispositivi

In che modo l'isolamento di questo dispositivo è vantaggioso per la mia applicazione?

La configurazione isolata riduce al minimo le interferenze tra i circuiti, garantendo segnali puliti ed evitando interazioni indesiderate tra i componenti.

Quale intervallo di temperatura può gestire questo dispositivo durante il funzionamento?

Può operare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, rendendolo adatto a condizioni estreme.

Posso utilizzare questo prodotto nel mio progetto di PCB a montaggio superficiale?

Sì, il suo design a montaggio superficiale consente una facile integrazione nei layout dei circuiti stampati, ottimizzando lo spazio e migliorando le prestazioni termiche.

Quali sono i fattori da considerare quando si utilizza questo prodotto per le applicazioni di commutazione?

Assicurarsi che non venga superata la tensione massima di gate-source di ±20V e verificare che la carica del gate sia allineata alla frequenza di commutazione per ottenere prestazioni ottimali.

In che modo le specifiche influiscono sull'efficienza energetica?

Grazie alla bassa resistenza di accensione e all'elevata corrente di drain continua, questo MOSFET contribuisce a ridurre al minimo le perdite di potenza, migliorando l'efficienza energetica complessiva dei vostri progetti di circuito.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A, 3,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	150 mΩ, 400 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	6,1 nC a 10 V, 6,9 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	5mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C