2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 400 mΩ, 3.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 827-3934
Codice costruttore:: IRF9952TRPBF
Costruttore:: Infineon

2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 400 mΩ, 3.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:: 827-3934
Codice costruttore:: IRF9952TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	3.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	400mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.1nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Tensione diretta Vf	0.82V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.5mm
	Larghezza	4 mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 3.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 400mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.1nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Tensione diretta Vf 0.82V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.5mm
	Larghezza 4 mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 2,3A/3,5A di corrente di scarico continua massima, 2W di dissipazione di potenza massima - IRF9952TRPBF

Questo versatile MOSFET offre prestazioni elevate in un pacchetto compatto, integrando configurazioni sia a canale N che a canale P. È progettato per un funzionamento efficace in varie applicazioni elettroniche, garantendo efficienza e affidabilità. Con una corrente di drain massima di 3,5A e una tensione massima drain-source di 30V, è adatto per applicazioni che richiedono robuste capacità di commutazione.

Caratteristiche e vantaggi

• La configurazione a doppio canale aumenta la flessibilità del progetto

• Il design a montaggio superficiale semplifica l'assemblaggio dei PCB

• La bassa resistenza (150mΩ e 400mΩ) riduce la perdita di potenza

• Il funzionamento ad alta temperatura (+150°C) garantisce l'affidabilità in condizioni estreme

• Le caratteristiche migliorate della carica di gate aumentano l'efficienza di commutazione

• La configurazione a transistor isolati riduce al minimo il cross-talk per ottenere segnali più puliti

Applicazioni

• Soluzioni per la gestione dell'alimentazione

• Sistemi per veicoli elettrici per una maggiore efficienza

• Automazione e controllo industriale

• Sistemi di energia rinnovabile per prestazioni ottimali

• Elettronica di consumo per migliorare le prestazioni dei dispositivi

In che modo l'isolamento di questo dispositivo è vantaggioso per la mia applicazione?

La configurazione isolata riduce al minimo le interferenze tra i circuiti, garantendo segnali puliti ed evitando interazioni indesiderate tra i componenti.

Quale intervallo di temperatura può gestire questo dispositivo durante il funzionamento?

Può operare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, rendendolo adatto a condizioni estreme.

Posso utilizzare questo prodotto nel mio progetto di PCB a montaggio superficiale?

Sì, il suo design a montaggio superficiale consente una facile integrazione nei layout dei circuiti stampati, ottimizzando lo spazio e migliorando le prestazioni termiche.

Quali sono i fattori da considerare quando si utilizza questo prodotto per le applicazioni di commutazione?

Assicurarsi che non venga superata la tensione massima di gate-source di ±20V e verificare che la carica del gate sia allineata alla frequenza di commutazione per ottenere prestazioni ottimali.

In che modo le specifiche influiscono sull'efficienza energetica?

Grazie alla bassa resistenza di accensione e all'elevata corrente di drain continua, questo MOSFET contribuisce a ridurre al minimo le perdite di potenza, migliorando l'efficienza energetica complessiva dei vostri progetti di circuito.