2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 400 mΩ, 3.5 A 25 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 165-5912
- Codice costruttore:
- IRF7105TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
1560,00 €
(IVA esclusa)
1920,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 0,39 € | 1.560,00 € |
| 8000 + | 0,37 € | 1.480,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-5912
- Codice costruttore:
- IRF7105TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 25V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 400mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 400mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
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