2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, 400 mΩ, 2.3 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7104TRPBF

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Codice RS:
165-5596
Codice costruttore:
IRF7104TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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