MOSFET Infineon, canale P, 400 mΩ, 2,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-5596
Codice costruttore:: IRF7104TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 400 mΩ, 2,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)**

0,295 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
4000 - 4000	0,295 €	1.180,00 €
8000 +	0,28 €	1.120,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5596
Codice costruttore:: IRF7104TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7104, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	400 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	9,3 nC a 10 V
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 400 mΩ, 2,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon

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