2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, 400 mΩ, 2.3 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
831-2869
Codice costruttore:
IRF7104TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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