MOSFET Infineon, canale P, 98 mΩ, 4,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-5939
Codice costruttore:: IRF7316TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 98 mΩ, 4,9 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)

0,379 €

(IVA esclusa)

0,462 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
4000 +	0,379 €	1.516,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5939
Codice costruttore:: IRF7316TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7316TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 165-5939
Codice costruttore:: IRF7316TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7316TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	98 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	23 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	98 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	23 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

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