MOSFET Infineon, canale N, P, 46 mΩ, 98 mΩ, 4,9 A, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-8879
Codice costruttore:: IRF7319TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 46 mΩ, 98 mΩ, 4,9 A, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 826-8879
Codice costruttore:: IRF7319TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7319TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	4,9 A, 6,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	46 mΩ, 98 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4mm
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 10 V, 23 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale N, P, 46 mΩ, 98 mΩ, 4,9 A, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon

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