Codice costruttore

2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 98 mΩ, 7.3 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 826-8908
Codice costruttore:: IRF7389TRPBF
Costruttore:: Infineon

2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 98 mΩ, 7.3 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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100 - 180	0,619 €	12,38 €
200 - 480	0,575 €	11,50 €
500 - 980	0,54 €	10,80 €
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Codice RS:: 826-8908
Codice costruttore:: IRF7389TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	7.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	98mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	0.78V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	22nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.5mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 7.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 98mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 0.78V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.5mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: PH

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