2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 98 mΩ, 7.3 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 826-8908
- Codice costruttore:
- IRF7389TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
15,86 €
(IVA esclusa)
19,34 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,793 € | 15,86 € |
| 100 - 180 | 0,564 € | 11,28 € |
| 200 - 480 | 0,524 € | 10,48 € |
| 500 - 980 | 0,492 € | 9,84 € |
| 1000 + | 0,453 € | 9,06 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 826-8908
- Codice costruttore:
- IRF7389TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 98mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.78V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 98mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.78V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4 mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
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