Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 135 V, 7.3 mΩ Miglioramento, 98 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Foro passante

Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 200 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per garantire un'elevata efficienza nelle applicazioni di potenza. Le caratteristiche principali includono un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce al minimo le perdite di conduzione, e un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM) per prestazioni di commutazione superiori. Inoltre, vanta una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che migliora l'efficienza e riduce le perdite di commutazione. Il dispositivo è dotato di un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, che lo rende adatto a condizioni difficili, e può funzionare a una temperatura elevata di 175 °C, garantendo l'affidabilità anche in ambienti difficili.

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS