Transistor di potenza Infineon, canale N 200 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 136 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Foro passante
- Codice RS:
- 349-410
- Codice costruttore:
- IPP069N20NM6AKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
8,55 €
(IVA esclusa)
10,43 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 498 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 500 unità in spedizione dal 18 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,55 € |
| 10 - 99 | 7,70 € |
| 100 - 499 | 7,10 € |
| 500 - 999 | 6,60 € |
| 1000 + | 5,89 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-410
- Codice costruttore:
- IPP069N20NM6AKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 136A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | IPP | |
| Tipo di package | PG-TO220-3 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 73nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 136A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie IPP | ||
Tipo di package PG-TO220-3 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 73nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Transistor di potenza Infineon serie IPP, tensione massima della sorgente di drenaggio di 200 V, corrente di drenaggio continua massima di 136 A - IPP069N20NM6AKSA1
Questo transistor di potenza è un MOSFET di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per funzioni di commutazione e conversione di potenza in gruppi a foro passante. Funziona su un'ampia gamma di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una corrente di drenaggio continua consistente e una gestione della tensione elevata, alloggiato in un contenitore PG-TO220-3 per un montaggio semplice.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio di 200 V consente attività di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 136 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 6.9 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 300 W consente un uso prolungato ad alta potenza
• La carica gate tipica di 73 nC riduce l'energia di transizione di commutazione
• La tensione diretta di 1 V riduce la caduta di conduzione del diodo
• La corrente di drenaggio continua di 136 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 6.9 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 300 W consente un uso prolungato ad alta potenza
• La carica gate tipica di 73 nC riduce l'energia di transizione di commutazione
• La tensione diretta di 1 V riduce la caduta di conduzione del diodo
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di azionamento del motore ad alta potenza
• Ideale per alimentatori industriali e inverter
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria per percorsi ad alta corrente
• Può essere utilizzato per la regolazione dell'alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per gli stadi di uscita dell'amplificatore audio che richiedono una corrente elevata
• Ideale per alimentatori industriali e inverter
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria per percorsi ad alta corrente
• Può essere utilizzato per la regolazione dell'alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per gli stadi di uscita dell'amplificatore audio che richiedono una corrente elevata
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione rapida?
Il gate può tollerare fino a 20 V
progettare il driver per fornire una corrente di picco sufficiente per caricare rapidamente il gate da 73 nC osservando il limite massimo di Vgs.
In che modo l'intervallo di temperatura influisce sul posizionamento di un dissipatore?
Con un intervallo di funzionamento da -55 °C a 175 °C, la selezione dell'interfaccia termica e le dimensioni del dissipatore devono tenere conto della dissipazione di 300 W e delle condizioni ambientali previste.
Quale metodo di montaggio è necessario per l'assemblaggio del circuito stampato?
Il componente è configurato per il montaggio a foro passante in un contenitore PG-TO220-3, consentendo un fissaggio meccanico sicuro e un efficace accoppiamento termico a dissipatori esterni.
Esistono limitazioni sul comportamento di conduzione inversa?
Il dispositivo presenta una caratteristica di diodo in avanti con una caduta di circa 1 V
la progettazione del circuito deve tenere conto di questo durante gli eventi di conduzione sincrona o corpo-diodo.
Link consigliati
- Transistor di potenza Infineon 7.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- Transistor di potenza Infineon 33.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- Transistor di potenza Infineon 180 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 3.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPP039N10N5AKSA1
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPP65R190CFD7AAKSA1