Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 200 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 136 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Foro passante

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Codice RS:
349-410
Codice costruttore:
IPP069N20NM6AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

136A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IPP

Tipo di package

PG-TO220-3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 200 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per garantire un'elevata efficienza nelle applicazioni di potenza. Le caratteristiche principali includono un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce al minimo le perdite di conduzione, e un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM) per prestazioni di commutazione superiori. Inoltre, vanta una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che migliora l'efficienza e riduce le perdite di commutazione. Il dispositivo è dotato di un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, che lo rende adatto a condizioni difficili, e può funzionare a una temperatura elevata di 175 °C, garantendo l'affidabilità anche in ambienti difficili.

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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