MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Superficie IPP65R190CFD7AAKSA1

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Codice RS:
273-3021
Codice costruttore:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TO220-3

Serie

IPP65R190CFD7A

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

77W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AECQ101, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza SJ per uso automobilistico con canale N MOS freddo da 650 V Infineon. Ha la massima affidabilità sul campo che soddisfa i requisiti di durata automobilistica.

Abilitazione di progetti di densità di potenza più elevata

Portafoglio granulare disponibile

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