MOSFET Infineon, canale N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Superficie IPP65R190CFD7AAKSA1

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Codice RS:
273-3021
Codice costruttore:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TO220-3

Serie

IPP65R190CFD7A

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

77W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AECQ101, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza SJ per uso automobilistico con canale N MOS freddo da 650 V Infineon. Ha la massima affidabilità sul campo che soddisfa i requisiti di durata automobilistica.

Abilitazione di progetti di densità di potenza più elevata

Portafoglio granulare disponibile

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