MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

9,22 €

(IVA esclusa)

11,24 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 376 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 84,61 €9,22 €
10 - 184,195 €8,39 €
20 - 244,11 €8,22 €
26 - 483,845 €7,69 €
50 +3,54 €7,08 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3018
Codice costruttore:
IPP039N10N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-TO220-3

Serie

OptiMOSa5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon in un contenitore TO-220 è ideale per le applicazioni di commutazione ad alta frequenza e di rettifica sincrona.

Massima efficienza del sistema

Riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione

Meno parallelizzazione richiesta

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.