MOSFET Infineon, canale N 100 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Superficie

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Codice RS:
273-3018
Codice costruttore:
IPP039N10N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOSa5

Tipo di package

PG-TO220-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon in un contenitore TO-220 è ideale per le applicazioni di commutazione ad alta frequenza e di rettifica sincrona.

Massima efficienza del sistema

Riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione

Meno parallelizzazione richiesta

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