MOSFET Infineon, canale N 600 V, 16 mΩ Miglioramento, 135 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Foro passante IPP60R016CM8XKSA1
- Codice RS:
- 349-000
- Codice costruttore:
- IPP60R016CM8XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
14,21 €
(IVA esclusa)
17,34 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 491 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,21 € |
| 10 - 99 | 12,79 € |
| 100 + | 11,79 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-000
- Codice costruttore:
- IPP60R016CM8XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 135A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 171nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 625W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 135A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 171nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 625W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie IPP, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 135 A - IPP60R016CM8XKSA1
Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e il controllo di potenza in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per ambienti difficili ed è fornito in un contenitore TO-220 a foro passante per un dissipatore di calore e un montaggio su scheda semplici. Il dispositivo è conforme alle omologazioni standard per semiconduttori ed è destinato ad applicazioni che richiedono una gestione della corrente e una resistenza termica notevoli.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 135 A supporta correnti di carico pesanti
• Rds(on) massimo di 16 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza massima di 625 W consente un carico termico elevato
• La carica tipica del gate 171 nC favorisce un comportamento di commutazione prevedibile
• La tolleranza Vgs±30 V consente margini di azionamento gate robusti
• La corrente di drenaggio continua di 135 A supporta correnti di carico pesanti
• Rds(on) massimo di 16 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza massima di 625 W consente un carico termico elevato
• La carica tipica del gate 171 nC favorisce un comportamento di commutazione prevedibile
• La tolleranza Vgs±30 V consente margini di azionamento gate robusti
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter di potenza a livello di rete
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con moduli di conversione CC-CC ad alta corrente
• Può essere utilizzato per apparecchiature di prova elettroniche di carico e potenza
• Adatto per alimentatori nelle infrastrutture di telecomunicazione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con moduli di conversione CC-CC ad alta corrente
• Può essere utilizzato per apparecchiature di prova elettroniche di carico e potenza
• Adatto per alimentatori nelle infrastrutture di telecomunicazione
A quali condizioni ambientali estreme può resistere durante il funzionamento?
È progettato per un funzionamento continuo da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alta temperatura.
Quanti pin e quale stile di montaggio sono forniti?
Il dispositivo utilizza una configurazione a tre pin ed è progettato per il montaggio a foro passante in un ingombro standard TO-220.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per la commutazione?
La tensione del gate deve rimanere entro ±30 V per proteggere il gate
la carica gate tipica di 171 nC deve essere presa in considerazione quando si dimensionano i driver per soddisfare le velocità di commutazione desiderate.
Quali omologazioni indicano la conformità standard per la selezione dei componenti?
È dotato di qualifiche riconosciute JEDEC e conformità RoHS per gli standard di materiale e produzione.
Link consigliati
- Transistor di potenza Infineon 7.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 37 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPP60R037CM8XKSA1
- MOSFET Infineon 180 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPAN60R180CM8XKSA1
- MOSFET Infineon 3.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPP039N10N5AKSA1
- MOSFET Infineon 190 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPP65R190CFD7AAKSA1