MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 60 mΩ Miglioramento, 36.23 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Superficie IPP65R060CFD7XKSA1

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Codice RS:
273-3019
Codice costruttore:
IPP65R060CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

36.23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

PG-TO220-3

Serie

IPP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

171W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC, RoHS

Il MOSFET a super giunzione MOS CFD7 a freddo da 650 V di Infineon in un contenitore TO-220 è ideale per le topologie di risonanza in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare e EV, in cui consente un significativo miglioramento dell'efficienza

Eccellente robustezza resistente alla commutazione

Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione del bus

Consente una maggiore densità di potenza

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