Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 200 V, 33.9 mΩ Miglioramento, 39 A, 3 Pin, PG-TO220-3, Foro passante

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Codice RS:
349-118
Codice costruttore:
IPP339N20NM6AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

39A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

PG-TO220-3

Serie

IPP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che garantisce perdite di conduzione ridotte. Il MOSFET vanta anche un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM) per prestazioni di commutazione superiori e una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa per un funzionamento efficiente. È testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga, il che ne garantisce la robustezza, e può funzionare a una temperatura elevata di 175 °C, rendendolo affidabile anche in ambienti difficili.

Dispositivo ottimizzato per gli azionamenti dei motori e le applicazioni a batteria

Placcatura senza piombo

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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