MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 33.9 mΩ Miglioramento, 39 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB339N20NM6ATMA1

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Codice RS:
349-401
Codice costruttore:
IPB339N20NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

39A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

PG-TO263-3

Serie

OptiMOS-TM6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 200 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. La soluzione offre una resistenza di accensione molto bassa (RDS(on)), garantendo perdite di conduzione minime. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), offre prestazioni di commutazione superiori. Questo MOSFET presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che migliora l'efficienza complessiva.

Placcatura senza piombo

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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