Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 33.9 mΩ Miglioramento, 39 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB339N20NM6ATMA1

Codice RS:: 349-401
Codice costruttore:: IPB339N20NM6ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 33.9 mΩ Miglioramento, 39 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB339N20NM6ATMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

17,75 €

(IVA esclusa)

21,65 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 1000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	3,55 €	17,75 €
50 - 95	3,372 €	16,86 €
100 +	3,126 €	15,63 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 349-401
Codice costruttore:: IPB339N20NM6ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	39A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Serie	OptiMOS-TM6
	Tipo di package	PG-TO263-3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	33.9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	15.9nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 39A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Serie OptiMOS-TM6
	Tipo di package PG-TO263-3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33.9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15.9nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPB339N20NM6ATMA1

Paese di origine:: MY

Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 200 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. La soluzione offre una resistenza di accensione molto bassa (RDS(on)), garantendo perdite di conduzione minime. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), offre prestazioni di commutazione superiori. Questo MOSFET presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che migliora l'efficienza complessiva.

Placcatura senza piombo

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 33.9 mΩ Miglioramento, 39 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB339N20NM6ATMA1

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Link consigliati