MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 6.8 mΩ Miglioramento, 134 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB068N20NM6ATMA1

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Codice RS:
349-400
Codice costruttore:
IPB068N20NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

134A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

OptiMOS-TM6

Tipo di package

PG-TO263-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 200 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. La soluzione offre una resistenza di accensione molto bassa (RDS(on)), garantendo perdite di conduzione minime. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), offre prestazioni di commutazione superiori. Questo MOSFET presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che migliora l'efficienza complessiva.

Placcatura senza piombo

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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