MOSFET Infineon, canale N 200 V, 6.8 mΩ Miglioramento, 134 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB068N20NM6ATMA1
- Codice RS:
- 349-400
- Codice costruttore:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-400
- Codice costruttore:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 134A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 134A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie OptiMOS-TM6, dissipazione di potenza massima 300 W, tensione massima drain source 200 V - IPB068N20NM6ATMA1
Questo MOSFET di potenziamento a canale n è un dispositivo di commutazione ad alta corrente progettato per applicazioni di gestione dell'alimentazione che richiedono basse perdite di conduzione e prestazioni termiche robuste. Funziona come transistor a montaggio superficiale in un contenitore PG-TO263-3, adatto per circuiti in cui è necessaria una commutazione compatta ad alta potenza in un'ampia gamma di temperature.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source 200 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La bassa Rds(on) di 6,8 mΩ riduce le perdite di conduzione a correnti elevate
• La corrente di drenaggio continua 134 A supporta applicazioni a corrente elevata
• La dissipazione di potenza 300 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 73 nC garantisce transizioni gate più veloci
• L'intervallo di funzionamento da -55 a 175 °C resiste ad ambienti con temperature estreme
• La bassa Rds(on) di 6,8 mΩ riduce le perdite di conduzione a correnti elevate
• La corrente di drenaggio continua 134 A supporta applicazioni a corrente elevata
• La dissipazione di potenza 300 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 73 nC garantisce transizioni gate più veloci
• L'intervallo di funzionamento da -55 a 175 °C resiste ad ambienti con temperature estreme
Applicazioni
• Adatto per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Ideale per i convertitori CC-CC nelle guide ad alta tensione
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono un'elevata corrente continua
• Può essere utilizzato per gli interruttori di carico nei sistemi di alimentazione industriali
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione ad alta temperatura
• Ideale per i convertitori CC-CC nelle guide ad alta tensione
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono un'elevata corrente continua
• Può essere utilizzato per gli interruttori di carico nei sistemi di alimentazione industriali
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione ad alta temperatura
Quale metodo di montaggio è necessario per un contatto termico affidabile?
Il dispositivo è progettato per il montaggio in superficie
il contenitore PG-TO263-3 consente il fissaggio del circuito stampato saldato con un ampio tampone termico per facilitare il trasferimento del calore alla scheda e alle disposizioni del dissipatore.
In che modo il requisito dell'azionamento del gate influisce sulla progettazione della commutazione?
La tensione massima gate-sorgente è di 20 V e la carica gate tipica è di 73 nC, pertanto la selezione del driver gate deve fornire una corrente sufficiente per ottenere la velocità di commutazione desiderata rispettando i limiti Vgs.
Quali condizioni ambientali può sopportare?
È conforme alle norme specifiche, tra cui la direttiva RoHS e i livelli di stress da temperatura/umidità IEC specificati, ed è classificato per funzionare da -55 °C a 175 °C per l'uso in ambienti termici impegnativi.
Quali sono i limiti elettrici che proteggono contro le sovratensioni?
La tensione massima drain-source del dispositivo è di 200 V e la sua corrente di drenaggio continua nominale è di 134 A
i progetti devono includere un'adeguata limitazione di corrente e una protezione contro i transienti per evitare di superare questi parametri.
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