MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 6.8 mΩ Miglioramento, 134 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB068N20NM6ATMA1
- Codice RS:
- 349-400
- Codice costruttore:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-400
- Codice costruttore:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 134A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 134A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 200 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. La soluzione offre una resistenza di accensione molto bassa (RDS(on)), garantendo perdite di conduzione minime. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), offre prestazioni di commutazione superiori. Questo MOSFET presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che migliora l'efficienza complessiva.
Placcatura senza piombo
Conforme alla direttiva RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020
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