MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 22 mΩ Miglioramento, 7.3 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-5712
Codice costruttore:
IRF7495TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


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