Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 22 mΩ Miglioramento, 7.3 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Codice RS:: 165-5712
Codice costruttore:: IRF7495TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 22 mΩ Miglioramento, 7.3 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1940,00 €

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4000 +	0,485 €	1.940,00 €

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Codice RS:: 165-5712
Codice costruttore:: IRF7495TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	7.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	22mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	34nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4mm
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.5mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 7.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie HEXFET
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4mm
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.5mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: TH

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