MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 22 mΩ Miglioramento, 90 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPDQ60T022S7XTMA1

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Codice RS:
348-998
Codice costruttore:
IPDQ60T022S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.82V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

416W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC, JS-001, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
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