MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 10 mΩ Miglioramento, 174 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPDQ60T010S7AXTMA1

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Codice RS:
351-944
Codice costruttore:
IPDQ60T010S7AXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

174A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Serie

IPDQ60

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

318nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

694W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

AEC Q101

Larghezza

15.5 mm

Lunghezza

15.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
L'unità CoolMOS S7TA Infineon con sensore di temperatura incorporato aumenta la precisione e la robustezza del rilevamento della temperatura di giunzione, consentendo al contempo una facile implementazione e la sicurezza funzionale. Il dispositivo è ottimizzato per applicazioni di commutazione a bassa frequenza e ad alta corrente. È ideale per relè a stato solido, disconnettori per batteria e fusibili elettronici.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Aumento delle prestazioni del sistema

Permette un design più compatto rispetto all'EMR

TCO più basso per un periodo di tempo prolungato

Permette la realizzazione di progetti a più alta densità di potenza

Riduzione degli elementi di rilevamento esterni

Utilizzo ottimale del transistor di potenza

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