MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 10 mΩ Miglioramento, 50 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPQC60R010S7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-892
Codice costruttore:
IPQC60R010S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

600V CoolMOS

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

694W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

318nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon con dispositivo di alimentazione CoolMOS SJ S7 da 600 V all'avanguardia rappresenta un notevole salto nella tecnologia MOSFET, specificamente progettato per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Progettato con la massima precisione, questo dispositivo offre un'efficienza energetica senza pari, il che lo rende una scelta ideale per relè a stato solido, interruttori automatici e vari sistemi di gestione dell'alimentazione. Il design avanzato, che presenta un ingombro compatto e superiori capacità di dissipazione del calore, garantisce prestazioni ottimali in condizioni difficili. Riconosciuto per i suoi vantaggi rispetto ai componenti elettromeccanici tradizionali, questo dispositivo integra una commutazione continua con un'affidabilità eccezionale. È completamente qualificato secondo gli standard JEDEC per le applicazioni industriali, garantendo così la sua robustezza e affidabilità in un'ampia gamma di ambienti.

Ottimizzato per prezzo e prestazioni

Capacità di corrente di impulso elevata per una maggiore robustezza

Il pin della sorgente Kelvin migliora le prestazioni di commutazione

Supporta applicazioni soggette a urti e vibrazioni

Il diodo interno riduce al minimo le perdite di conduzione

Ospita il raffreddamento laterale TOP per migliori prestazioni termiche

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