MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 17 mΩ Miglioramento, 113.3 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPDQ60T017S7XTMA1

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Codice RS:
348-997
Codice costruttore:
IPDQ60T017S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

113.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

196nC

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC, JS-001

Paese di origine:
MY
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