MOSFET Infineon, canale N 600 V, 17 mΩ Miglioramento, 113.3 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPDQ60T017S7XTMA1
- Codice RS:
- 348-997
- Codice costruttore:
- IPDQ60T017S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 348-997
- Codice costruttore:
- IPDQ60T017S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 113.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | IPD | |
| Tipo di package | PG-HDSOP-22 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 22 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 820mV | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 196nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC, JS-001 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 113.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie IPD | ||
Tipo di package PG-HDSOP-22 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 22 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 820mV | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 196nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC, JS-001 | ||
- Paese di origine:
- MY
Il dispositivo CoolMOS S7T Infineon offre le migliori prestazioni in termini di prezzo per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Il sensore di temperatura incorporato aumenta l'accuratezza e la robustezza del rilevamento della temperatura di giunzione, mantenendo un'implementazione semplice e senza interruzioni. Il dispositivo CoolMOS S7T è ottimizzato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente. Il nuovo sensore di temperatura migliora le caratteristiche dell'S7, consentendo il miglior utilizzo possibile del transistor di potenza.
Aumento delle prestazioni del sistema
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Design più compatto e lineare
Minore costo della distinta base o TCO per un periodo di tempo prolungato
Maggiore affidabilità e durata del sistema
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