MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 22 mΩ Miglioramento, 98 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie AIMDQ75R016M1HXUMA1

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Codice RS:
348-929
Codice costruttore:
AIMDQ75R016M1HXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

98A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

384W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET CoolSiC Infineon da 750 V è realizzato sulla base della tecnologia del carburo di silicio solido sviluppata da Infineon in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche del materiale TiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto alle alte temperature e alle operazioni più gravose, consente di semplificare e rendere conveniente l'implementazione della massima efficienza del sistema.

Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice

Pin sorgente del driver disponibile

Maggiore robustezza e affidabilità per tensioni del bus superiori a 500 V

Efficienza superiore in caso di hard switching

Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching

Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate

La migliore dissipazione termica della categoria

Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate

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