MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 117 mΩ Miglioramento, 24 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IMDQ75R090M1HXUMA1
- Codice RS:
- 349-045
- Codice costruttore:
- IMDQ75R090M1HXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-045
- Codice costruttore:
- IMDQ75R090M1HXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 24A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 22 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 117mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 128W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 24A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package PG-HDSOP-22 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 22 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 117mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 128W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET G1 CoolSiC Infineon da 750 V si basa sulla tecnologia Infineon al carburo di silicio solido, sviluppata in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche dei materiali SiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Questo MOSFET è stato progettato per resistere alle alte temperature e alle condizioni operative più difficili, rendendolo ideale per le applicazioni più impegnative. Consente l'implementazione semplificata ed economica di sistemi ad alta efficienza, rispondendo alle esigenze in continua evoluzione dell'elettronica di potenza in ambienti difficili.
Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice
Pacchetto di raffreddamento laterale superiore all'avanguardia
Pin sorgente del driver disponibile
Maggiore robustezza per resistere a tensioni del bus superiori a 500 V
Efficienza superiore in caso di hard switching
Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching
Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate
La migliore dissipazione termica della categoria
Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate