MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 17 mΩ Miglioramento, 30 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPQC60T017S7AXTMA1

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Codice RS:
349-200
Codice costruttore:
IPQC60T017S7AXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Serie

IPQ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

196nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC, AEC Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
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