MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 17 mΩ Miglioramento, 30 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPQC60T017S7XTMA1
- Codice RS:
- 349-004
- Codice costruttore:
- IPQC60T017S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-004
- Codice costruttore:
- IPQC60T017S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPQ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 22 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 196nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.82V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPQ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 22 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 196nC | ||
Tensione diretta Vf 0.82V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC | ||
- Paese di origine:
- MY
Il dispositivo CoolMOS S7T Infineon offre le migliori prestazioni in termini di prezzo per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Il sensore di temperatura incorporato aumenta l'accuratezza e la robustezza del rilevamento della temperatura di giunzione, mantenendo un'implementazione semplice e senza interruzioni. Il dispositivo CoolMOS S7T è ottimizzato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente. Il nuovo sensore di temperatura migliora le caratteristiche dell'S7, consentendo il miglior utilizzo possibile del transistor di potenza.
Aumento delle prestazioni del sistema
Aumento delle prestazioni del sistema
Design più compatto e lineare
Minore costo della distinta base o TCO per un periodo di tempo prolungato
Maggiore affidabilità e durata del sistema
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