MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 0.022 Ω Miglioramento, 174 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPDQ60T010S7XTMA1

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Codice RS:
351-942
Codice costruttore:
IPDQ60T010S7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

174A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Serie

IPDQ60

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.022Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

694W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

318nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

15.5 mm

Lunghezza

15.1mm

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

JEDEC

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
L'unità CoolMOS S7T di Infineon con sensore di temperatura incorporato aumenta l'accuratezza e la robustezza del rilevamento della temperatura di giunzione e consente una facile implementazione. Il dispositivo è ottimizzato per applicazioni di commutazione a bassa frequenza e ad alta corrente. È ideale per progetti di relè a stato solido, interruttori e raddrizzatori di linea in SMPS.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Aumento delle prestazioni del sistema

La soluzione consente di realizzare design più compatti rispetto all'EMR

TCO più basso per un periodo di tempo prolungato

Permette la realizzazione di progetti a più alta densità di potenza

Riduzione degli elementi di rilevamento esterni

Utilizzo ottimale del transistor di potenza

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