MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 10 mΩ Miglioramento, 50 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPQC60R010S7XTMA1
- Codice RS:
- 284-890
- Codice costruttore:
- IPQC60R010S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 750 unità*
14.030,25 €
(IVA esclusa)
17.117,25 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 750 + | 18,707 € | 14.030,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-890
- Codice costruttore:
- IPQC60R010S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | 600V CoolMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 22 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.82V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 318nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 694W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PG-HDSOP-22 | ||
Serie 600V CoolMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 22 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.82V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 318nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 694W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon con dispositivo di alimentazione CoolMOS SJ S7 da 600 V all'avanguardia rappresenta un notevole salto nella tecnologia MOSFET, specificamente progettato per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Progettato con la massima precisione, questo dispositivo offre un'efficienza energetica senza pari, il che lo rende una scelta ideale per relè a stato solido, interruttori automatici e vari sistemi di gestione dell'alimentazione. Il design avanzato, che presenta un ingombro compatto e superiori capacità di dissipazione del calore, garantisce prestazioni ottimali in condizioni difficili. Riconosciuto per i suoi vantaggi rispetto ai componenti elettromeccanici tradizionali, questo dispositivo integra una commutazione continua con un'affidabilità eccezionale. È completamente qualificato secondo gli standard JEDEC per le applicazioni industriali, garantendo così la sua robustezza e affidabilità in un'ampia gamma di ambienti.
Ottimizzato per prezzo e prestazioni
Capacità di corrente di impulso elevata per una maggiore robustezza
Il pin della sorgente Kelvin migliora le prestazioni di commutazione
Supporta applicazioni soggette a urti e vibrazioni
Il diodo interno riduce al minimo le perdite di conduzione
Ospita il raffreddamento laterale TOP per migliori prestazioni termiche