MOSFET Infineon, canale N 600 V, 7 mΩ Miglioramento, 288 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IPDQ60R007CM8XTMA1

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Codice RS:
348-993
Codice costruttore:
IPDQ60R007CM8XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

288A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1249W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon serie IPD, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 288 A - IPDQ60R007CM8XTMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata nell'elettronica a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una commutazione rapida e una notevole gestione della corrente continua in sistemi elettrici impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione di drenaggio di 600 V consente la compatibilità con sistemi ad alta tensione
• La bassa resistenza di accensione di 7 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente continua 288 A supporta carichi ad alta corrente
• La dissipazione di potenza 1249 W consente una gestione termica sostenuta
• La carica gate tipica di 37 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La tolleranza del gate di 30 V protegge contro le escursioni di overdrive del gate

Applicazioni


• Utilizzato per gli alimentatori nelle apparecchiature industriali
• Adatto per le fasi di azionamento del motore nei sistemi di trazione
• Ideale per convertitori ad alta corrente in impianti rinnovabili
• Può essere utilizzato per la conversione CC-CC nei rack di telecomunicazione
• Utilizzato con l'elettronica ad alta temperatura nei sottosistemi automobilistici

Quale tipo di contenitore devono aspettarsi i progettisti per il layout del circuito stampato?


Viene fornito in un pacchetto a montaggio superficiale PG-HDSOP-22 a 22 pin adatto per layout di schede compatti e disposizioni di pad termici.

Come si comporta il dispositivo in condizioni ambientali elevate?


Il componente è specificato per funzionare fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti ad alta temperatura con un'adeguata gestione termica.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per la commutazione?


Il gate deve essere azionato entro i limiti di ±30 V e la carica tipica del gate di 37 nC deve essere presa in considerazione quando si dimensiona il driver per ottenere le velocità di commutazione desiderate.

Il dispositivo è adatto per applicazioni a bassa temperatura?


La parte ha un valore nominale fino a -55 °C, consentendo l'implementazione in sistemi a clima freddo con prestazioni elettriche garantite.

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