MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 22 mΩ Miglioramento, 7.3 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF7495TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-3877
Codice Distrelec:
304-44-453
Codice costruttore:
IRF7495TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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