MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 22 mΩ Miglioramento, 7.3 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF7495TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-3877
Codice costruttore:
IRF7495TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Distrelec Product Id

304-44-453

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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