2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, 400 mΩ, 2.3 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
166-1112
Codice costruttore:
IRF7104PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon


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