MOSFET Infineon, canale P, 400 mΩ, 2,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1112
Codice costruttore:: IRF7104PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 400 mΩ, 2,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 95)**

0,693 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
95 - 95	0,693 €	65,835 €
190 - 380	0,561 €	53,295 €
475 - 855	0,519 €	49,305 €
950 - 2280	0,485 €	46,075 €
2375 +	0,45 €	42,75 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1112
Codice costruttore:: IRF7104PBF
Costruttore:: Infineon

IRF7104, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	400 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	9,3 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Numero di elementi per chip	2
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 400 mΩ, 2,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon

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