MOSFET Infineon, canale N, P, 160 mΩ, 400 mΩ, 2,3 A, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-8829
Codice costruttore:: IRF7105TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 160 mΩ, 400 mΩ, 2,3 A, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 826-8829
Codice costruttore:: IRF7105TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7105TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A, 3,5 A
Tensione massima drain source	25 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	160 mΩ, 400 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	10 nC a 10 V, 9,4 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, P, 160 mΩ, 400 mΩ, 2,3 A, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon

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