2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 400 mΩ, 3.5 A 25 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-8829
Codice costruttore:
IRF7105TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Distrelec Product Id

304-44-450

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon


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