2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 400 mΩ, 3.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
145-9491
Codice costruttore:
IRF9952TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.1nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 2,3A/3,5A di corrente di scarico continua massima, 2W di dissipazione di potenza massima - IRF9952TRPBF


Questo versatile MOSFET offre prestazioni elevate in un pacchetto compatto, integrando configurazioni sia a canale N che a canale P. È progettato per un funzionamento efficace in varie applicazioni elettroniche, garantendo efficienza e affidabilità. Con una corrente di drain massima di 3,5A e una tensione massima drain-source di 30V, è adatto per applicazioni che richiedono robuste capacità di commutazione.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione a doppio canale aumenta la flessibilità del progetto

• Il design a montaggio superficiale semplifica l'assemblaggio dei PCB

• La bassa resistenza (150mΩ e 400mΩ) riduce la perdita di potenza

• Il funzionamento ad alta temperatura (+150°C) garantisce l'affidabilità in condizioni estreme

• Le caratteristiche migliorate della carica di gate aumentano l'efficienza di commutazione

• La configurazione a transistor isolati riduce al minimo il cross-talk per ottenere segnali più puliti

Applicazioni


• Soluzioni per la gestione dell'alimentazione

• Sistemi per veicoli elettrici per una maggiore efficienza

• Automazione e controllo industriale

• Sistemi di energia rinnovabile per prestazioni ottimali

• Elettronica di consumo per migliorare le prestazioni dei dispositivi

In che modo l'isolamento di questo dispositivo è vantaggioso per la mia applicazione?


La configurazione isolata riduce al minimo le interferenze tra i circuiti, garantendo segnali puliti ed evitando interazioni indesiderate tra i componenti.

Quale intervallo di temperatura può gestire questo dispositivo durante il funzionamento?


Può operare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, rendendolo adatto a condizioni estreme.

Posso utilizzare questo prodotto nel mio progetto di PCB a montaggio superficiale?


Sì, il suo design a montaggio superficiale consente una facile integrazione nei layout dei circuiti stampati, ottimizzando lo spazio e migliorando le prestazioni termiche.

Quali sono i fattori da considerare quando si utilizza questo prodotto per le applicazioni di commutazione?


Assicurarsi che non venga superata la tensione massima di gate-source di ±20V e verificare che la carica del gate sia allineata alla frequenza di commutazione per ottenere prestazioni ottimali.

In che modo le specifiche influiscono sull'efficienza energetica?


Grazie alla bassa resistenza di accensione e all'elevata corrente di drain continua, questo MOSFET contribuisce a ridurre al minimo le perdite di potenza, migliorando l'efficienza energetica complessiva dei vostri progetti di circuito.

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