MOSFET Infineon, canale N, P, 46 mΩ, 98 mΩ, 5,3 A, 6,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-8875
Codice costruttore:: IRF7317TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 46 mΩ, 98 mΩ, 5,3 A, 6,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 826-8875
Codice costruttore:: IRF7317TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7317TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	5,3 A, 6,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	46 mΩ, 98 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.7V
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	18 nC a 4,5 V, 19 nC a 4,5 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale N, P, 46 mΩ, 98 mΩ, 5,3 A, 6,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon

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