MOSFET Vishay, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3364
Codice costruttore:
SI4900DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

4.3 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

58 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

2000 mW

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

4mm

Carica gate tipica @ Vgs

13 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

5mm

Numero di elementi per chip

2

Materiale del transistor

Si

Altezza

1.55mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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